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湖人半导体（深圳）有限公司
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产品信息
IRFP360PBF特性
•动态的dV / dt评级
•重复雪崩额定
•孤立的中央安装孔
•快速交换
•易于并联
•简单驱动要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
IRFP360PBF描述
第三代功率mosfet的威世为设计师提供快速交换的组合,加固的设备设计、低导通电阻和成本效益。
在TO- 247封装的商业工业应用更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于早期的隔离安装的TO- 218封装，因为洞。它也提供了更大之间的爬电距离销，以满足大多数安全技术规范的要求。
IRFP360PBF产品概述
IRFP360PBF一般信息
数据列表IRFP360;标准包装500包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称*IRFP360 规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）400V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）210nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4500pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）280W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）200 毫欧 @ 14A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3
